基于水熱合成的高性能光電探測器SnO2納米線/還原氧化石墨烯(rGO)復合材料

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資料介紹:

基于水熱合成的高性能光電探測器SnO2納米線/還原氧化石墨烯(rGO)復合材料(中文8500字,英文PDF)
Manish Kumar Singh, Rajiv K. Pandey*, Rajiv Prakash*
印度理工學院(BHU)材料科學與技術學院,印度瓦拉納西,221005
摘要
單獨的無機半導體或其基于納米結構的紫外光電探測器仍然沒有達到標準并且由于其較差的電氣性能從而不能令人滿意。因此,無機半導體材料與有機半導體材料的雜化正在成為最近實施的戰略方法之一,以此加強該方法電氣性能如光電流,電導率等。在本篇文中,我們提出了一個簡單而高效的SnO2納米線與還原石墨烯氧化物(rGO)納米片和碳納米管雜化的方法,隨之調查混合材料光電流的增強。在利用rGO將SnO2納米線水合之前,通過水熱法合成SnO2納米線,與此同時,rGO通過改進的Hummers方法合成,然后用微波還原。此外,通過將SnO2/rGO混合物的混合溶液放置在Si/SiO2、玻璃和摻磷的Si襯底上,通過噴射方法將得到的SnO2/rGO混合材料沉積在嬰兒噴霧霧化器的藥室。考慮到原子力顯微鏡(AFM)和掃描電子顯微鏡(SEM)的結果討論了其形態特征。基于X射線衍射(XRD),FTIR和UV-Vis光譜,納米雜化材料的形成以及SnO2,rGO和SnO2/rGO復合材料的結構性能進行了討論。此外,使用循環伏安法(CV)進行合成的混合物薄膜的電流-電壓(I-V)特性,和AFM導電尖端的探究。金屬-半導體-金屬(MSM)結構被表征在黑暗條件和在光線條件存在下發現波長相關的光電探測器屬性光電流增強(102),在±3 V電壓下與較長波長比較短的波長。
關鍵詞:SnO2納米線、rGO、復合材料、納米結構、光電流
 

基于水熱合成的高性能光電探測器SnO2納米線/還原氧化石墨烯(rGO)復合材料


 

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